casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW60R199CPFKSA1
Número de pieza del fabricante | IPW60R199CPFKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPW60R199CPFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW60R199CPFKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1520pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 139W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R199CPFKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPW60R199CPFKSA1-FT |
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPU95R750P7AKMA1
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IPS80R900P7AKMA1
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IPP80R600P7XKSA1
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IPP60R180P7XKSA1
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IPP80R750P7XKSA1
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IPP80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
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M2GL050-FGG484I
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A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
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5SGXEA5K3F35C2L
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XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel