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Infineon Technologies IPI041N12N3GAKSA1
- Número de pieza de MFG
- IPI041N12N3GAKSA1
- Cantidad disponible
- 95190 Piezas
- Precio de referencia
- USD 2.746736
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- Fecha de envío
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- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- IPI041N12N3GAKSA1.pdf
IPI041N12N3GAKSA1 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | IPI041N12N3GAKSA1 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IPI041N12N3GAKSA1 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | OptiMOS™ |
| IPI041N12N3GAKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 120V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 211nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13800pF @ 60V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
| Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPI041N12N3GAKSA1 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IPI041N12N3GAKSA1-FT |
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