casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI040N06N3GHKSA1
Número de pieza del fabricante | IPI040N06N3GHKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPI040N06N3GHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI040N06N3GHKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11000pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 188W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI040N06N3GHKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPI040N06N3GHKSA1-FT |
IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R070C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R075CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R199CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW60R250CP
Infineon Technologies
IPW60R280E6FKSA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel