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Infineon Technologies IPD65R1K4C6ATMA1

Name: IPD65R1K4C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R1K4C6ATMA1
Price: 0.338552 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (286 reviews)

Número de pieza de MFG: IPD65R1K4C6ATMA1

Cantidad disponible: 74510 Piezas

Precio de referencia: USD 0.338552

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ C6 MOSFET N-CH TO252-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPD65R1K4C6ATMA1.pdf

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IPD65R1K4C6ATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPD65R1K4C6ATMA1
Número de parte futuro	FT-IPD65R1K4C6ATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™ C6
IPD65R1K4C6ATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	225pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD65R1K4C6ATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPD65R1K4C6ATMA1-FT

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