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Infineon Technologies IPD30N06S2L23ATMA3

Número de pieza de MFG
IPD30N06S2L23ATMA3
Cantidad disponible
59840 Piezas
Precio de referencia
USD 0.344712
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante IPD30N06S2L23ATMA3
Número de parte futuro FT-IPD30N06S2L23ATMA3
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPD30N06S2L23ATMA3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1091pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD30N06S2L23ATMA3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPD30N06S2L23ATMA3-FT

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