casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFP38N30X3M
Número de pieza del fabricante | IXFP38N30X3M |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXFP38N30X3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFP38N30X3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 38A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 15V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2440pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 34W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 Isolated Tab |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP38N30X3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFP38N30X3M-FT |
IXTQ140N10P
IXYS
IXTQ150N15P
IXYS
IXTQ170N10P
IXYS
IXTQ18N60P
IXYS
IXTQ22N60P
IXYS
IXTQ26N60P
IXYS
IXTQ26P20P
IXYS
IXTQ30N50L
IXYS
IXTQ30N50L2
IXYS
IXTQ30N50P
IXYS
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel