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IPD13N03LA G Image

Infineon Technologies IPD13N03LA G

Número de pieza de MFG
IPD13N03LA G
Cantidad disponible
17320 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IPD13N03LA G
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPD13N03LA G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1043pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD13N03LA G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPD13N03LA G-FT

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