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Infineon Technologies IPD122N10N3GBTMA1
- Número de pieza de MFG
- IPD122N10N3GBTMA1
- Cantidad disponible
- 50240 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- IPD122N10N3GBTMA1.pdf
IPD122N10N3GBTMA1 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | IPD122N10N3GBTMA1 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IPD122N10N3GBTMA1 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | OptiMOS™ |
| IPD122N10N3GBTMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 59A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2 mOhm @ 46A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2500pF @ 50V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 94W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPD122N10N3GBTMA1 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IPD122N10N3GBTMA1-FT |
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