casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPC020N10L3X1SA1
Número de pieza del fabricante | IPC020N10L3X1SA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPC020N10L3X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPC020N10L3X1SA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 12µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | Sawn on foil |
Paquete / Caja | Die |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC020N10L3X1SA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPC020N10L3X1SA1-FT |
FDMJ1027P
ON Semiconductor
FDMS0306S
ON Semiconductor
FDMS86200E
ON Semiconductor
FDMS9409L-F085
ON Semiconductor
FDN337N-F169
ON Semiconductor
FDN360P-NBGT003B
ON Semiconductor
FDR4420A
ON Semiconductor
FDR6580
ON Semiconductor
FDR6674A
ON Semiconductor
FDR838P
ON Semiconductor
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel