casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMJ1027P
Número de pieza del fabricante | FDMJ1027P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDMJ1027P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDMJ1027P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-MicroFET (2x2) |
Paquete / Caja | 6-VDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMJ1027P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDMJ1027P-FT |
CC1202
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