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Infineon Technologies IPB60R190P6ATMA1

Número de pieza de MFG
IPB60R190P6ATMA1
Cantidad disponible
45860 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
CoolMOS™ P6 MOSFET N-CH 600V TO263-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante IPB60R190P6ATMA1
Número de parte futuro FT-IPB60R190P6ATMA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™ P6
IPB60R190P6ATMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 630µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1750pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB60R190P6ATMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPB60R190P6ATMA1-FT

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