casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB097N08N3 G
Número de pieza del fabricante | IPB097N08N3 G |
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Número de parte futuro | FT-IPB097N08N3 G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB097N08N3 G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2410pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 100W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB097N08N3 G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB097N08N3 G-FT |
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