casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB60R180P7ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB60R180P7ATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPB60R180P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPB60R180P7ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1081pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 72W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R180P7ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB60R180P7ATMA1-FT |
IPB080N06N G
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IPB083N10N3GATMA1
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EX64-TQ100I
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XC4005XL-3VQ100I
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M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
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LFEC6E-5F484C
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5SGXEA3H2F35I3LN
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