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Infineon Technologies IPB26CNE8N G

Name: IPB26CNE8N G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB26CNE8N G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (750 reviews)

Número de pieza de MFG: IPB26CNE8N G

Cantidad disponible: 86510 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPB26CNE8N G.pdf

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IPB26CNE8N G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPB26CNE8N G
Número de parte futuro	FT-IPB26CNE8N G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPB26CNE8N G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	85V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	35A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 39µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2070pF @ 40V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB26CNE8N G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPB26CNE8N G-FT

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