casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB052N04NGATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB052N04NGATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPB052N04NGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB052N04NGATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 33µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3300pF @ 20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 79W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB052N04NGATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB052N04NGATMA1-FT |
AUIRF540ZS
Infineon Technologies
AUIRF540ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF6215S
Infineon Technologies
AUIRF6215STRL
Infineon Technologies
AUIRF6218S
Infineon Technologies
AUIRF6218STRL
Infineon Technologies
AUIRFS3006
Infineon Technologies
AUIRFS3107
Infineon Technologies
AUIRFS3206
Infineon Technologies
AUIRFS3206TRL
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation