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Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA2

Name: IPB160N04S2L03ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB160N04S2L03ATMA2
Availability: InStock
Rating: 4.5 (542 reviews)

Número de pieza de MFG: IPB160N04S2L03ATMA2

Cantidad disponible: 47000 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH TO262-7

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPB160N04S2L03ATMA2.pdf

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IPB160N04S2L03ATMA2 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPB160N04S2L03ATMA2
Número de parte futuro	FT-IPB160N04S2L03ATMA2
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPB160N04S2L03ATMA2 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	160A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6000pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-7-3
Paquete / Caja	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB160N04S2L03ATMA2 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPB160N04S2L03ATMA2-FT

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