casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFB812PBF
Número de pieza del fabricante | IRFB812PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFB812PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFB812PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 810pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 78W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFB812PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFB812PBF-FT |
AUIRF2804
Infineon Technologies
AUIRF2805
Infineon Technologies
AUIRF2807
Infineon Technologies
AUIRF2903Z
Infineon Technologies
AUIRF3007
Infineon Technologies
AUIRF3305
Infineon Technologies
AUIRF3415
Infineon Technologies
AUIRF3504
Infineon Technologies
AUIRF3710Z
Infineon Technologies
AUIRF3805
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel