casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB039N10N3GE8187ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB039N10N3GE8187ATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPB039N10N3GE8187ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 160µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8410pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 214W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-7 |
Paquete / Caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB039N10N3GE8187ATMA1-FT |
IRFB7434GPBF
Infineon Technologies
IRFB7437GPBF
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
IRFB7740PBF
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IRFB812PBF
Infineon Technologies
IRFZ34E
Infineon Technologies
IRFZ34EPBF
Infineon Technologies
IRFZ34NPBF
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
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10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel