casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA80R900P7XKSA1
Número de pieza del fabricante | IPA80R900P7XKSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPA80R900P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPA80R900P7XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 110µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 350pF @ 500V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 26W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220 Full Pack |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA80R900P7XKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPA80R900P7XKSA1-FT |
IPA083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAN70R750P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R950C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel