casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA60R280P6XKSA1
Número de pieza del fabricante | IPA60R280P6XKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPA60R280P6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P6 |
IPA60R280P6XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 430µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1190pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 32W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-FP |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R280P6XKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPA60R280P6XKSA1-FT |
BSP296L6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP296NH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSP297 E6327
Infineon Technologies
BSP297H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP297L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP298 E6327
Infineon Technologies
BSP298L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP299 E6327
Infineon Technologies
BSP299L6327HUSA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel