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Infineon Technologies BSP296L6433HTMA1

Número de pieza de MFG
BSP296L6433HTMA1
Cantidad disponible
34360 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-BSP296L6433HTMA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSP296L6433HTMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 364pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.79W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP296L6433HTMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSP296L6433HTMA1-FT

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