casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA60R180P7XKSA1
Número de pieza del fabricante | IPA60R180P7XKSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPA60R180P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPA60R180P7XKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1081pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 26W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220 Full Pack |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R180P7XKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPA60R180P7XKSA1-FT |
SPN02N60S5
Infineon Technologies
SPN03N60C3
Infineon Technologies
SPN03N60S5
Infineon Technologies
SPN04N60S5
Infineon Technologies
BSA223SP
Infineon Technologies
IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
IGLD60R070D1AUMA1
Infineon Technologies
IGOT60R070D1AUMA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel