casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IMC1812ER2R2J
Número de pieza del fabricante | IMC1812ER2R2J |
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Número de parte futuro | FT-IMC1812ER2R2J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1812 |
IMC1812ER2R2J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 380mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 700 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 55MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1812 (4532 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1812 |
Tamaño / Dimensión | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812ER2R2J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMC1812ER2R2J-FT |
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel