casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IMC1812EB3R9J
Número de pieza del fabricante | IMC1812EB3R9J |
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Número de parte futuro | FT-IMC1812EB3R9J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1812 |
IMC1812EB3R9J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 3.9µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 330mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 40MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1812 (4532 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1812 |
Tamaño / Dimensión | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812EB3R9J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMC1812EB3R9J-FT |
IMC1812BN5R6J
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LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel