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Número de pieza del fabricante | IMC1210EB3R9K |
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Número de parte futuro | FT-IMC1210EB3R9K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210EB3R9K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 3.9µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 250mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 55MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB3R9K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMC1210EB3R9K-FT |
IMC1210BN82NK
Vishay Dale
IMC1210BN82NM
Vishay Dale
IMC1210BN8R2J
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IMC1210BN8R2K
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IMC1210BNR10K
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IMC1210BNR10M
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IMC1210BNR12K
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IMC1210BNR12M
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A3P600L-FGG484
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
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XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
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