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Número de pieza del fabricante | IMC1210BNR12M |
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Número de parte futuro | FT-IMC1210BNR12M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IMC-1210 |
IMC1210BNR12M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 120nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 584mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 220 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 500MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BNR12M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IMC1210BNR12M-FT |
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX75DF27I7N
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EPF10K30EFC484-2X
Intel
EP4SE360H29C2
Intel
EP4CE10E22C7N
Intel
XC7K355T-3FFG901E
Xilinx Inc.
EP2S130F1020C5N
Intel