casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IDT71V416YS10Y
Número de pieza del fabricante | IDT71V416YS10Y |
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Número de parte futuro | FT-IDT71V416YS10Y |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71V416YS10Y Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71V416YS10Y Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDT71V416YS10Y-FT |
71V016SA12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel