casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V016SA20YG
Número de pieza del fabricante | 71V016SA20YG |
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Número de parte futuro | FT-71V016SA20YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V016SA20YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 20ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V016SA20YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V016SA20YG-FT |
71V016SA12BFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12BFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7143LA20JG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7133SA55JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S15TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S20TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel