casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IDT71V416YS10Y8
Número de pieza del fabricante | IDT71V416YS10Y8 |
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Número de parte futuro | FT-IDT71V416YS10Y8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71V416YS10Y8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71V416YS10Y8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDT71V416YS10Y8-FT |
71V016SA12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel