casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IDT71V416YL10PH8
Número de pieza del fabricante | IDT71V416YL10PH8 |
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Número de parte futuro | FT-IDT71V416YL10PH8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71V416YL10PH8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71V416YL10PH8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDT71V416YL10PH8-FT |
RMLV0816BGSD-4S2#HC0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSD-4S2#AC0
Renesas Electronics America
R1LV3216RSD-5SI#B0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSD-5S2#AC0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASD-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV1616RSD-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV1616RSD-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV1616RSD-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV1616RSD-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV3216RSD-5SI#S0
Renesas Electronics America
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel