casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / IDT7164S35YG
Número de pieza del fabricante | IDT7164S35YG |
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Número de parte futuro | FT-IDT7164S35YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT7164S35YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT7164S35YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDT7164S35YG-FT |
71256SA25YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L35YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L35YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L25YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel