casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V256SA12YG
Número de pieza del fabricante | 71V256SA12YG |
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Número de parte futuro | FT-71V256SA12YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V256SA12YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V256SA12YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V256SA12YG-FT |
IDT71V416S20PH
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS10Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS10Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel