casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HUFA76619D3ST
Número de pieza del fabricante | HUFA76619D3ST |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HUFA76619D3ST |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUFA76619D3ST Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 767pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 75W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA76619D3ST Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HUFA76619D3ST-FT |
FQD6N40TM
ON Semiconductor
FQD6N50CTF
ON Semiconductor
FQD6N50CTM_F080
ON Semiconductor
FQD6N60CTM
ON Semiconductor
FQD6N60CTM-WS
ON Semiconductor
FQD6P25TF
ON Semiconductor
FQD6P25TM
ON Semiconductor
FQD7N10LTF
ON Semiconductor
FQD7N10TM
ON Semiconductor
FQD7N20LTF
ON Semiconductor
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel