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ON Semiconductor FQD6N60CTM-WS

Name: FQD6N60CTM-WS
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD6N60CTM-WS
Price: 0.580024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (584 reviews)

Número de pieza de MFG: FQD6N60CTM-WS

Cantidad disponible: 77850 Piezas

Precio de referencia: USD 0.580024

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET N-CH 600V DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQD6N60CTM-WS.pdf

FQD6N60CTM-WS Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FQD6N60CTM-WS
Número de parte futuro	FT-FQD6N60CTM-WS
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQD6N60CTM-WS Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	810pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D-Pak
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD6N60CTM-WS Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQD6N60CTM-WS-FT

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