casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HUFA76609D3ST_F085
Número de pieza del fabricante | HUFA76609D3ST_F085 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HUFA76609D3ST_F085 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
HUFA76609D3ST_F085 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 425pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 49W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA76609D3ST_F085 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HUFA76609D3ST_F085-FT |
FQD6N40CTF
ON Semiconductor
FQD6N40TF
ON Semiconductor
FQD6N40TM
ON Semiconductor
FQD6N50CTF
ON Semiconductor
FQD6N50CTM_F080
ON Semiconductor
FQD6N60CTM
ON Semiconductor
FQD6N60CTM-WS
ON Semiconductor
FQD6P25TF
ON Semiconductor
FQD6P25TM
ON Semiconductor
FQD7N10LTF
ON Semiconductor
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel