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ON Semiconductor HUFA76609D3ST_F085

Name: HUFA76609D3ST_F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: HUFA76609D3ST_F085
Availability: InStock
Rating: 4.9 (307 reviews)

Número de pieza de MFG: HUFA76609D3ST_F085

Cantidad disponible: 52660 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: HUFA76609D3ST_F085.pdf

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Número de pieza del fabricante	HUFA76609D3ST_F085
Número de parte futuro	FT-HUFA76609D3ST_F085
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
HUFA76609D3ST_F085 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	425pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	49W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUFA76609D3ST_F085 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	HUFA76609D3ST_F085-FT

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