casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HUF76437S3ST
Número de pieza del fabricante | HUF76437S3ST |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HUF76437S3ST |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF76437S3ST Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 71A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 71A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2230pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 155W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF76437S3ST Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HUF76437S3ST-FT |
FQB2N60TM
ON Semiconductor
FQB2N80TM
ON Semiconductor
FQB2N90TM
ON Semiconductor
FQB2NA90TM
ON Semiconductor
FQB2P25TM
ON Semiconductor
FQB2P40TM
ON Semiconductor
FQB30N06TM
ON Semiconductor
FQB32N12V2TM
ON Semiconductor
FQB32N20CTM
ON Semiconductor
FQB34P10TM-F085P
ON Semiconductor
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel