casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HUF75652G3
Número de pieza del fabricante | HUF75652G3 |
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Número de parte futuro | FT-HUF75652G3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75652G3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 475nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7585pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 515W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75652G3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HUF75652G3-FT |
GP2M008A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060FGH
Global Power Technologies Group
GP2M009A090FG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060F
Global Power Technologies Group
GP2M010A065F
Global Power Technologies Group
GP2M012A060F
Global Power Technologies Group
GP2M013A050F
Global Power Technologies Group
GP2M020A050F
Global Power Technologies Group
GP1M003A050HG
Global Power Technologies Group
GP1M003A080H
Global Power Technologies Group
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
Intel