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Honeywell Aerospace HTNFET-D

Name: HTNFET-D
Brand: Honeywell Aerospace
SKU: HTNFET-D
Price: 324.8 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (67 reviews)

Número de pieza de MFG: HTNFET-D

Cantidad disponible: 27850 Piezas

Precio de referencia: USD 324.8

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Honeywell Aerospace

Breve descripción: HTMOS™ MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: HTNFET-D.pdf

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HTNFET-D Presupuesto

Número de pieza del fabricante	HTNFET-D
Número de parte futuro	FT-HTNFET-D
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HTMOS™
HTNFET-D Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	-
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 5V
Vgs (Max)	10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	290pF @ 28V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	50W (Tj)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	8-CDIP-EP
Paquete / Caja	8-CDIP Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HTNFET-D Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	HTNFET-D-FT

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