casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-8207-BLKG
Número de pieza del fabricante | HSMS-8207-BLKG |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HSMS-8207-BLKG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-8207-BLKG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 2 Pair Series Connection |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 4V |
Actual - max | - |
Capacitancia a Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | 75mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8207-BLKG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-8207-BLKG-FT |
BAR 50-02V E6768
Infineon Technologies
BAR 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC4020XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256C6N
Intel
10AX032E4F27E3SG
Intel
LFE3-95EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I2LG
Intel
5AGXBB1D4F35C4N
Intel