casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAT 63-02V E6327
Número de pieza del fabricante | BAT 63-02V E6327 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BAT 63-02V E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT 63-02V E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 3V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.85pF @ 0.2V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | 100mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SC-79, SOD-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SC79-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 63-02V E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAT 63-02V E6327-FT |
MA4PBL027
M/A-Com Technology Solutions
MA4L031-186
M/A-Com Technology Solutions
MA4L022-186
M/A-Com Technology Solutions
MA4L022-134
M/A-Com Technology Solutions
MA4L011-134
M/A-Com Technology Solutions
MA4L021-134
M/A-Com Technology Solutions
MA4L032-134
M/A-Com Technology Solutions
MA4E1318
M/A-Com Technology Solutions
MA4E1317
M/A-Com Technology Solutions
MA4AGBLP912
M/A-Com Technology Solutions
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
XCV200-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBI652-2X
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel