casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MA4AGBLP912
Número de pieza del fabricante | MA4AGBLP912 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MA4AGBLP912 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4AGBLP912 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 50V |
Actual - max | 40mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.03pF @ 5V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4AGBLP912 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MA4AGBLP912-FT |
MMVL3700T1
ON Semiconductor
MMVL3700T1G
ON Semiconductor
MBD330DWT1G
ON Semiconductor
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
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MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
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MMBD330T1G
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NSVP249SDSF3T1G
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MMBD770T1
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EPF8820ATC144-4N
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XCV812E-7FG900C
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M1A3P600-2FGG256I
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LFE2M100E-6F1152C
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EPF10K30EFC256-2X
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC4VLX100-10FF1148I
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I1SG
Intel
10AX115N2F45I2SGE2
Intel
EP20K200EQC240-2
Intel