casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-2829-TR1
Número de pieza del fabricante | HSMS-2829-TR1 |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-2829-TR1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2829-TR1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - Cross Over |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 15V |
Actual - max | 1A |
Capacitancia a Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2829-TR1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-2829-TR1-FT |
BAR6502VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6702VH6327XTSA1
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BA 892-02V E6127
Infineon Technologies
BA 892-02V E6327
Infineon Technologies
BA 892-02V E6433
Infineon Technologies
BA89202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA89202VH6433XTMA1
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BAR 50-02V E6327
Infineon Technologies
XC4005XL-1TQ144I
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A54SX16P-TQ144
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XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
10AX027H2F34I2LG
Intel
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
10AX016E3F27E2LG
Intel
EP1K10QC208-2
Intel