casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAR6502VH6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BAR6502VH6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BAR6502VH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR6502VH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 30V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.8pF @ 3V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 900 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SC-79, SOD-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SC79-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6502VH6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAR6502VH6327XTSA1-FT |
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
BAP65LX,315
NXP USA Inc.
BAP63LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX/Z,315
NXP USA Inc.
BAP51-02-TP
Micro Commercial Co
BAP50-03-TP
Micro Commercial Co
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F23A7N
Intel
EP4CE75F23C9L
Intel
5SGXEB6R2F40I2N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
XA6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP3C120F780I7N
Intel
EPF10K50SBC356-1
Intel