casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAR6502VH6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BAR6502VH6327XTSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BAR6502VH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR6502VH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 30V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.8pF @ 3V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 900 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SC-79, SOD-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SC79-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6502VH6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAR6502VH6327XTSA1-FT |
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
BAP65LX,315
NXP USA Inc.
BAP63LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX/Z,315
NXP USA Inc.
BAP51-02-TP
Micro Commercial Co
BAP50-03-TP
Micro Commercial Co
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC7S15-2FTGB196C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FGG484C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C6
Intel
5SGXEA9K3H40I3LN
Intel
5SGXMA9K3H40I3LN
Intel
LFE3-150EA-6FN672ITW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208I8
Intel
EP1K100QI208-2
Intel