casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-281B-TR2G
Número de pieza del fabricante | HSMS-281B-TR2G |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-281B-TR2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-281B-TR2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 20V |
Actual - max | 1A |
Capacitancia a Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-281B-TR2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-281B-TR2G-FT |
1N5711WS-7-F
Diodes Incorporated
1N5711WS-13
Diodes Incorporated
1N5711WS-7
Diodes Incorporated
ZMS2800TA
Diodes Incorporated
ZMS2800TC
Diodes Incorporated
ZMS2811TC
Diodes Incorporated
1N5711W-7-F
Diodes Incorporated
1N5711W-13
Diodes Incorporated
1N5711W-7
Diodes Incorporated
CPINUC5206-HF
Comchip Technology
XC6SLX75T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP4CE6F17I8LN
Intel
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
5SGXMA9N3F45C2LN
Intel
XC6VLX760-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
EP2SGX130GF1508C3
Intel