casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / 1N5711W-7-F
Número de pieza del fabricante | 1N5711W-7-F |
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Número de parte futuro | FT-1N5711W-7-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5711W-7-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 70V |
Actual - max | 15mA |
Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | 333mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5711W-7-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5711W-7-F-FT |
BAT1503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA 595 B6327
Infineon Technologies
BA592E6433HTMA1
Infineon Technologies
BA595E6327HTSA1
Infineon Technologies
BA595E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR 63-03W E6433
Infineon Technologies
BAR5003WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6203WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA 892 E6127
Infineon Technologies
BA 892 E6327
Infineon Technologies
XC6SLX75T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP4CE6F17I8LN
Intel
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
5SGXMA9N3F45C2LN
Intel
XC6VLX760-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
EP2SGX130GF1508C3
Intel