casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-2702-TR1
Número de pieza del fabricante | HSMS-2702-TR1 |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-2702-TR1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2702-TR1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 1 Pair Series Connection |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 15V |
Actual - max | 350mA |
Capacitancia a Vr, F | 6.7pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 650 mOhm @ 100mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | 250mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2702-TR1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-2702-TR1-FT |
BAT1504RE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1705E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6806E6327HTSA1
Infineon Technologies
HBAT-5400-BLKG
Broadcom Limited
HBAT-5400-TR1
Broadcom Limited
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Broadcom Limited
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Broadcom Limited
HBAT-5402-BLKG
Broadcom Limited
HBAT-5402-TR1
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HBAT-5402-TR1G
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LFXP3E-3TN144I
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XC3S1200E-4FTG256I
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M2GL010T-FGG484
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AFS250-FG256I
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5SGXMA7K3F35C2LN
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XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
5CGXBC3B6F23C7N
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