casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / BAT1705E6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BAT1705E6327HTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BAT1705E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT1705E6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - 1 Pair Common Cathode |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 4V |
Actual - max | 130mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.75pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 15 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Disipación de potencia (max) | 150mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT1705E6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAT1705E6327HTSA1-FT |
HSMS-280K-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280L-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280L-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280L-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280M-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280M-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280M-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280N-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280N-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280N-TR2G
Broadcom Limited
EP20K30ETC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8N
Intel
EP4SE360H29I4N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
LFXP2-8E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation