casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / HSMS-2700-TR1G
Número de pieza del fabricante | HSMS-2700-TR1G |
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Número de parte futuro | FT-HSMS-2700-TR1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2700-TR1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 15V |
Actual - max | 350mA |
Capacitancia a Vr, F | 6.7pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 650 mOhm @ 100mA, 1MHz |
Disipación de potencia (max) | 350mW |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2700-TR1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSMS-2700-TR1G-FT |
BAR6405E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR66E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR6704E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1504RE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1705E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6806E6327HTSA1
Infineon Technologies
HBAT-5400-BLKG
Broadcom Limited
HBAT-5400-TR1
Broadcom Limited
HBAT-5400-TR1G
Broadcom Limited
HBAT-5400-TR2G
Broadcom Limited
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
M2GL050-VF400
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
EP2C8F256C6
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
AX500-FG676I
Microsemi Corporation
EP1K10QC208-1N
Intel