casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HFA06TB120STRR
Número de pieza del fabricante | HFA06TB120STRR |
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Número de parte futuro | FT-HFA06TB120STRR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
HFA06TB120STRR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 3V @ 6A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 80ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HFA06TB120STRR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HFA06TB120STRR-FT |
BYV29B-300-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-300HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel