casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HER306G R0G
Número de pieza del fabricante | HER306G R0G |
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Número de parte futuro | FT-HER306G R0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER306G R0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER306G R0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HER306G R0G-FT |
2A02G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A06G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A07G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A07GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR151G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation